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SiA513DJ
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.30
0.25
0.20
I D = 3.4 A
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.15
0.10
0.05
0.00
T A = 125 °C
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
20
15
10
5
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10 Limited b y
R DS(on) *
100 μ s
P u lse (s)
Single Pulse Power
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS Limited
1 ms
10 ms
100 ms
1 s, 10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 70443
S-80437-Rev. B, 03-Mar-08
www.vishay.com
5
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